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于 11-12-7 通过 Solidot 作者：blackhat
英特尔和美光科技合资企业IMFT宣布了128Gb 20nm NAND闪存芯片，如果用它生产2.5英寸SSD，容量将能达到2TB。 手指尖大小的128GB芯片将在明年上半年批量生产，使用新芯片的设备可能在2013年出货。新芯片需要更长时间才能到达消费者手中，除了更大容量外，还因为使用了新的接口和页大小。64Gb NAND闪存芯片的页大小为8,192 bytes，128Gb版本增加到16,384 bytes，因此控制器和固件需要修改以适用新的页大小。目前的芯片使用的是ONFi 2.x接口，速度200 MT/s，新芯片提高到333 MT/s。20nm芯片的擦除周期仍能达到3,000-5,000次。
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